|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2168799 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/861 | | Аналоги изобретения: | Справочник "Полупроводниковые приборы: диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры". - М.: Радио и связь, 1989, с.147. SU 1414238 A1, 06.10.1997. EP 0043654 A2, 13.01.1982. EP 077004 A2, 20.04.1983. EP 0103138 A2, 21.03.1984. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | | Изобретатели: | Кожитов Л.В.
Крапухин В.В.
Кондратенко Т.Я.
Тимошина Г.Г.
Косарев А.М.
Кондратенко Т.Т. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) |
Реферат | |
Использование: в электронной технике, при конструировании и в технологии изготовления выпрямительных полупроводниковых диодов с p-n переходами. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются исключение краевого эффекта, увеличение напряжения пробоя, снижение уровня электротепловой и магнитотепловой деградации и повышение уровня стабильности электрических параметров выпрямительных диодов с p-n переходом. Сущность изобретения: в полупроводниковом выпрямительном диоде, по первому варианту изобретения, омический контакт выполнен в виде монокристаллического цилиндра из немагнитного металла с объемно центрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100) и температурой плавления выше температуры плавления кремния, на внешней поверхности которого выращен вырожденный монокристаллический кремниевый n+типа слой цилиндрической формы, на внешней поверхности которого последовательно сформированы имеющие цилиндрическую форму активный монокристаллический кремниевый слой n типа, активный монокристаллический кремниевый p типа слой, вырожденный монокристаллический кремниевый p+типа слой, поверх которого нанесен многослойный металлический контакт в виде двух цилиндрических слоев заданной длины, выполненных из разных немагнитных металлов, при этом удельная электропроводность верхнего цилиндрического слоя металла в паре больше удельной электропроводности нижнего цилиндрического слоя металла по направлению протекания электрического тока. Предложены три варианта выпрямительных диодов. 3 с. и 6 з.п.ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента