На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ТЕРМОКОМПЕНСИРОВАННЫЙ СТАБИЛИТРОН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2162622

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  99113388/28		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к термокомпенсированным стабилитронам - полупроводниковым приборам, предназначенным для жесткой стабилизации рабочего напряжения в радиоэлектронной аппаратуре в условиях изменяющейся температуры окружающей среды. Сущность изобретения: предложен низковольтный термокомпенсированный стабилитрон, содержащий кристалл легированного кремния с образованными в нем основным, компенсирующим и охранным p-n-переходами, защитными диэлектрическими слоями, контактными выступами, контактными металлическими слоями. Согласно изобретению кристалл выполнен из кремния, легированного базовой примесью p-типа проводимости - бором, а основной, компенсирующий и охранный p-n-переходы расположены на границах между базовыми кремнием p-типа проводимости и диффузионными слоями кремния, легированного примесями n-типа проводимости, при этом контактные слои металла расположены непосредственно на поверхностях кремниевого кристалла внутри окон в защитных диэлектрических слоях над областями расположения основного и компенсирующего p-n-переходов, а контактные выступы выполнены из металла и расположены поверх контактных металлических слоев. Способ изготовления низковольтного термокомпенсированного стабилитрона включает изготовление базового кремневого кристалла с основным, компенсирующим и охранным p-n-переходами, защитными диэлектрическими слоями, контактными выступами и контактными металлическими слоями, изготовление двух металлических выводов и герметизацию кристалла и металлических выводов в стеклянном корпусе. Согласно изобретению в качестве базового кристалла используют кремний p-типа проводимости, охранный и компенсирующий p-n-переходы формируют в базовом кремнии диффузией легирующей примеси n-типа проводимости - фосфором, а основной p-n-переход - диффузией примеси n-типа проводимости - мышьяком. Тонкие контактные слои металла наносят непосредственно на поверхности кремниевого кристалла в круговые окна в защитных диэлектрических слоях над областями расположения основного и компенсирующего p-n-переходов, а затем поверх контактных металлических слоев гальваническим методом наносят толстые контактные металлические выступы. Техническим результатом изобретения является создание конструкции и способа изготовления низковольтного термокомпенсированного стабилитрона, для которых исключаются процессы локального эпитаксиального наращивания толстых слоев легированного кремния. 2 с.п. ф-лы, 6 ил.

Вернуться к списку