|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ МАТРИЦА |  |
Номер публикации патента: 2140117 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/22 H01L029/82 | | Аналоги изобретения: | SU 859904 А, 02.09.81. RU 2006850 С1, 30.01.94. SU 1452410 А1, 07.01.93. EP 073130 А2, 02.03.83. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | | Изобретатели: | Абакумов А.А.
Амеличев В.В.
Галушков А.И.
Чаплыгин Ю.А.
Шубин С.В. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) |
Реферат | |
Использование: в устройствах для контроля качества структуры ферромагнитных материалов и изделий по результатам взаимодействия их с магнитными полями. Сущность: интегральная магниточувствительная матрица изготавливается по интегральной технологии микросхем, в виде кристалла кремния, содержащего магниточувствительные ячейки, из интегральных магнитотранзисторов, расположенные в матрицу размерностью N на М, магниточувствительные ячейки располагаются друг от друга на малом расстоянии (100-200 мкм), со строго определенной ориентацией в пределах одного кристалла и объединяются металлической разведкой на кристалле так, что количество выводов, составляет N + М +2/или 4/или 6/, предназначенных для регистрации одной, двух или трех компонент вектора магнитной индукции. Технический результат изобретения состоит в повышении надежности, пространственной разрешающей способности, снижении количества информационных выводов и потребляемой мощности. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента