|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2127469 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | US 3858234 A, 1974. RU 2056674 C1, 20.03.96. RU 2065643 C1, 20.08.96. JP 6020905 A, 1985. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа ОКБ "Искра" | | Изобретатели: | Гордеев А.И.
Королев А.Ф.
Обмайкин Ю.Д. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа ОКБ "Искра" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, биполярные транзисторы с увеличенной областью безопасной работы. Сущность изобретения: транзистор содержит коллекторную область, имеющую первый тип проводимости, базовую область второго типа проводимости, эмиттерную область гребенчатой конфигурации первого типа проводимости. В области базы выполнена полосковая область одинаковой ширины такого же типа проводимости, что и эмиттер, располагающаяся параллельно эмиттерному зубцу и примыкающая к эмиттерной области в конце зубца. Техническим результатом изобретения является создание мощного биполярного транзистора с большими рабочими токами и устойчивого к вторичному пробою. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента