|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2120155 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/78 | | Аналоги изобретения: | DE, заявка, 3138747, A1, кл. H 01 L 29/78, 1983. |
| Имя заявителя: | Сандербед Текнолоджиз, Инк. (US) | | Изобретатели: | Альберт В.Винал (US) | | Патентообладатели: | Сандербед Текнолоджиз, Инк. (US) | | Номер конвенционной заявки: | 826.939 | | Страна приоритета: | US |
Реферат | |
Использование: полевые транзисторы с порогом Ферми. Сущность изобретения: усовершенствованный полевой транзистор Ферми с малыми диффузионной емкостью и емкостью затвора, в котором носители заряда могут перемещаться внутри канала на определенной глубине в подложке под затвором, при этом у поверхности полупроводника не требуется создавать инверсионный слой. Для создания полевого транзистора Ферми с малыми емкостями желательно воспользоваться карманом Ферми, имеющим определенную глубину, тип проводимости которого противоположен типу проводимости подложки и совпадает с типом проводимости областей диффузии для формирования стока и истока. Техническим результатом изобретения является создание усовершенствованного полевого транзистора с порогом Ферми с пониженными диффузионной емкостью и емкостью затвора. 11 з.п. ф-лы, 24 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента