Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ВАРАКТОР

Номер публикации патента: 2102819

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94008630 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/93    
Аналоги изобретения: 1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т.1. - М.: Мир, 1984, с.122-124. 2. Sukegawa J., Fujikawa K., Nishizawa J. Sillicon alloy - diffused variable eapacitance diode//Solid state Electronics, 1963, v.6, N 1, p.1-24. 3. FR, патент, 2592527, кл. H 01L 29/93, 1986. 

Имя заявителя: Институт физики полупроводников СО РАН 
Изобретатели: Иоффе В.М.
Чикичев С.И. 
Патентообладатели: Институт физики полупроводников СО РАН
Иоффе Валерий Моисеевич
Чикичев Сергей Иль 

Реферат


Использование: изобретение относится к области полупроводниковых приборов, реактивностью которых управляют, с помощью напряжения, а именно к варакторам. Сущность: в варакторе, состоящем из рабочей области с омическим контактом, на которой сформирован р-n переход или барьер Шоттки с другим контактом, рабочая область выполнена в виде плоскопараллельной пластины из полупроводника, в котором вдоль поверхности, в направлении x, создан неоднородный профиль распределения примеси Ni(x) (Nmaxi(x)min). P-n переход сформирован с двух сторон пластины на участке, содержащем этот профиль, а толщина пластины t удовлетворяет условию: 2R(0,Nmin)mi@прn), где R( Umi@прn ) - толщина области пространственного заряда при минимальном напряжении пробоя Uпр, R(0,Nmin) - толщина области пространственного заряда при нулевом смещении. Заданный закон изменения емкости варактора от напряжения обеспечивают выбором функциональной зависимости y(x), размера p-n перехода в направлении y. Рабочая область варактора также может быть полупроводниковой пленкой толщиной d на подложке, p-n переход сформирован на одной стороне, а толщина пленки удовлетворяет условию: R(0, Nmin)mi@прn ). Получены варакторы с наперед заданной убывающей зависимостью C(U), в том числе и линейной, с большими коэффициентами перекрытия по емкости, которые не лимитируются напряжением пробоя. Существенно упрощена технология изготовления приборов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"