На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ВАРАКТОР | |
Номер публикации патента: 2102819 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L029/93 | Аналоги изобретения: | 1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т.1. - М.: Мир, 1984, с.122-124. 2. Sukegawa J., Fujikawa K., Nishizawa J. Sillicon alloy - diffused variable eapacitance diode//Solid state Electronics, 1963, v.6, N 1, p.1-24. 3. FR, патент, 2592527, кл. H 01L 29/93, 1986. |
Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | Изобретатели: | Иоффе В.М. Чикичев С.И. | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН Иоффе Валерий Моисеевич Чикичев Сергей Иль |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области полупроводниковых приборов, реактивностью которых управляют, с помощью напряжения, а именно к варакторам. Сущность: в варакторе, состоящем из рабочей области с омическим контактом, на которой сформирован р-n переход или барьер Шоттки с другим контактом, рабочая область выполнена в виде плоскопараллельной пластины из полупроводника, в котором вдоль поверхности, в направлении x, создан неоднородный профиль распределения примеси Ni(x) (Nmaxi(x)min). P-n переход сформирован с двух сторон пластины на участке, содержащем этот профиль, а толщина пластины t удовлетворяет условию: 2R(0,Nmin)mi@прn), где R( Umi@прn ) - толщина области пространственного заряда при минимальном напряжении пробоя Uпр, R(0,Nmin) - толщина области пространственного заряда при нулевом смещении. Заданный закон изменения емкости варактора от напряжения обеспечивают выбором функциональной зависимости y(x), размера p-n перехода в направлении y. Рабочая область варактора также может быть полупроводниковой пленкой толщиной d на подложке, p-n переход сформирован на одной стороне, а толщина пленки удовлетворяет условию: R(0, Nmin)mi@прn ). Получены варакторы с наперед заданной убывающей зависимостью C(U), в том числе и линейной, с большими коэффициентами перекрытия по емкости, которые не лимитируются напряжением пробоя. Существенно упрощена технология изготовления приборов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
|