На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ | |
Номер публикации патента: 2092933 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L029/82 | Аналоги изобретения: | 1. Ватлеб Г. Датчики. - М.: Мир, 1989, с. 29 - 3З. 2. JP, заявка, 2-140983, кл. H 01 L 31/10, 1990. |
Имя заявителя: | Винницкий государственный технический университет (UA) | Изобретатели: | Осадчук Владимир Степанович[UA] Осадчук Елена Владимировна[UA] Осадчук Александр Владимирович[UA] | Патентообладатели: | Винницкий государственный технический университет (UA) |
Реферат | |
Использование: в устройствах автоматического управления технологическими процессами. Сущность: полупроводниковый датчик магнитного поля содержит два источника постоянного напряжения, которые осуществляют питание двух полевых транзисторов через ограничительные резисторы, последовательно с которыми соединены магниточувствительные диоды. Истоки полевых транзисторов соединены между собой. Параллельно стокам полевых транзисторов подключена последовательная цепочка, состоящая из пассивной индуктивности и конденсатора. 1 ил.
|