На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР | |
Номер публикации патента: 2089014 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L029/73 | Аналоги изобретения: | 1. Ichizo Uchizakua, 03GHz 1SW Silicon Bipolar Transistor. "IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques", 1979, v. МТТ-27, N 12, p. 1040-1051. 2. Somerset. N.J. Pulsed Power Transistor. 1 hp at 1 GHz, Microwave Journal, 1979, v. 22, N 6, p. 34. |
Имя заявителя: | Василегин Борис Владимирович | Изобретатели: | Аронов В.Л. | Патентообладатели: | Василегин Борис Владимирович Аронов Вадим Львович Кравцов Леонид Шалимов |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов. Техническим результатом является обеспечение работы СВЧ транзистора в двух разнесенных диапазонах частот. Сущность изобретения: в мощном СВЧ транзисторе, содержащем одну или несколько транзисторных структур, выводы электродов каждой структуры соединены с входным и выходным электродами транзистора соответственно через входные и выходные согласующие LC-цепи, входные и выходные согласующие LC-цепи выполнены в виде трех каскадно соединенных звеньев, два внешних из которых являются звеньями типа фильтра нижних частот, а внутренние, соединенные с транзисторными структурными звеньями входных и выходных согласующих цепей выполнены в виде звеньев типа фильтра нижних частот, либо параллельно включенной индуктивности и/или параллельно включенной цепи, состоящей из индуктивности с последовательно включенным блокировочным конденсатором, при этом каждое звено каждой из согласующих LC-цепей выполнено в виде L или LC-элементов с обеспечением возможности синфазной работы их с соответствующими элементами соответствующих звеньев других согласующих LC-цепей, причем элементы звеньев каждой из согласующих LC-цепей выполнены с параметрами, удовлетворяющими условиям полного согласования с заданными внешними источником сигнала и нагрузкой на центральных частотах двух рабочих диапазонов частот и условиям достижения соотношения полос пропускания в каждом из рабочих диапазонов частот в пределах 0,3≅&Dgr;f1/&Dgr;f2≅3, где &Dgr;f1,&Dgr;f2 - полосы пропускания первого и второго рабочих диапазонов частот. 1 з.п.ф-лы, 6 ил.
|