|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДАТЧИК ДЕФОРМАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2087052 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/84 | | Аналоги изобретения: | 1. Городецкий А.Ф., Кравченко А.Ф. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1967, с. 165 - 166. 2. Фалько И.И. Тензоэффект поликристаллических пленок антилюнида индия и арсенида галлия. Тезисы доклада на IY Всероссийской конференции по полупроводниковой тензометрии. - Львов, 1969, с. 26 - 27. |
| Имя заявителя: | Никольский Юрий Анатольевич | | Изобретатели: | Никольский Юрий Анатольевич | | Патентообладатели: | Никольский Юрий Анатольевич |
Реферат | |
Использование: в измерительной технике. Сущность: датчик содержит тензорезистор, представляющий собой поликристаллическую пленку антимонида индия n-типа проводимости толщиной 1-5 мкм с концентрацией носителей заряда 1016 - 1017 см-3. Такие пленки обладают повышенной тензочувствительностью (S= 20-40), что связано с изменением потенциальных барьеров на границе кристаллитов. Кроме тензорезистора, датчик содержит источник белого света. Под действием интегрального излучения при освещенности 1000-1500 лк величина тензочувствительности возрастает в 1,5-2,0 раза (S=40-80) за счет добавки концентрации неравновесных носителей заряда.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента