На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ВАРАКТОР

Номер публикации патента: 2086044

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94017290		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варакторам, полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Сущность изобретения: варактор, состоит из рабочей области, выполненной в виде полупроводника электронного либо дырочного типа проводимости, с омическим контактом, на поверхности которого сформирован p-n переход или барьер Шоттки с другим контактом, причем рабочая область выполнена в виде полупроводниковой пленки, размещенной на изолирующей или полуизолирующей подложке. Вдоль рабочей области создан либо неоднородный профиль распределения примеси Ni(х, y), либо неоднородный профиль толщины пленки D(х), либо неоднородный профиль распределения примеси и толщины пленки, p-n переход или барьер Шоттки сформирован на участке, содержащем этот профиль, выбор толщины пленки и профиля легирования ограничены условием полного обеднения рабочей области пленки основными носителями заряда до пробоя барьера при подаче на него внешнего смещения:
,
где U_i(X) - напряжение пробоя полупроводниковой пленки в сечении xy; y - координата, отсчитываемая от поверхности пленки вдоль ее толщины; q - элементарный заряд; ε_s - диэлектрическая проницаемость полупроводниковой пленки. Кроме того омический контакт к пленке выполнен по периметру ее рабочей области с зазором относительно последней, причем величина зазора больше расстояния, при котором происходит пробой p-n перехода при максимальном запирающем напряжении на переходе, которое равно минимальному запирающему напряжению, при котором рабочая область пленки полностью обеднена основными носителями заряда, при этом заданная зависимость емкости от напряжения C(U) в диапазоне внешних запирающих напряжений U_min≅U≅U_max обеспечивается либо выбором функциональной зависимости размера p-n перехода или барьера Шоттки F(x) в направлении Z, либо выбором D(x), либо Ni(x, y), где x, z - криволинейные ортогональные координаты в плоскости поверхности пленки в том числе и прямоугольные, причем F(x) непрерывная или кусочно-непрерывная функция координаты x. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Вернуться к списку