|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2084047 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | 1. Okada B. et al. A new polisilieou process for a bipolar divice PSA Tecnology. IEEE Transactions ou Electron Devices, 1979, ЕД-26, р. 385 - 389. 2. Ning T.H. et al. Self-aligned bipolar transistors for high performance and low-power delay VLSI. IEEE Transactions on Electron Devices, 1981, ЕД-28, р.1010 - 1013. |
| Имя заявителя: | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" | | Изобретатели: | Сауров А.Н. | | Патентообладатели: | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, интегральные схемы большой степени интеграции. Сущность изобретения: биполярный транзистор, сформированный в изолированной полупроводниковой меза-структуре, содержит области эмиттера, базы и коллектора с низко- и высоколегированными областями и изолированными и расположенными на нескольких уровнях проводниками. Транзистор дополнительно содержит две изолированные слоем диэлектрика области из легированного поликристаллического кремния. Одна из этих областей расположена в области эмиттера и заглублена в область базы не более, чем на половину толщины области базы, а другая - в областях эмиттера и базы и заглублена в высоколегированную область коллектора не более, чем на половину толщины области коллектора. Расстояние между областями из легированного поликристаллического кремния равно толщине изолирующего слоя диэлектрика. Посредством областей из легированного поликристаллического кремния области базы коллектора электрически соединены с соответствующими проводниками. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента