|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ДИОД |  |
Номер публикации патента: 2083028 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/861 | | Аналоги изобретения: | 1. Вайсблат А.В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. - М.: Радио и связь. 1982. 2. Caulton M. et al. P - I - N diodes for lowfrequency high - power switching applications. // IEEE Trans o MTT. 1982, v. 30, N 6, 875 - 881. |
| Имя заявителя: | Московский энергетический институт (технический университет) | | Изобретатели: | Лебедев И.В.
Шнитников А.С.
Дроздовская Л.М.
Дроздовский Н.В. | | Патентообладатели: | Московский энергетический институт (технический университет) |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая техника, для снижения предельной рабочей частоты переключательного диода для состояния "Выключено" и уменьшения требуемого обратного смещения при сохранении малых нелинейных искажений и высокой коммутируемой рабочей мощности, а также малой амплитуды управляющего напряжения. Сущность изобретения: полупроводниковая структура содержит четыре области. Области 1 и 2 являются сильнолегированными приконтактными слоями. Слой 3, имеющий наименьшую концентрацию примеси, является базовой областью диода, определяющей (в основном) его радиочастотный импеданс. Область 4 имеет тип проводимости, совпадающий с типом проводимости базы, меньшую толщину и более высокий уровень легирования, чем область базы. В режиме "Включено" происходит двухсторонняя инжекция носителей заряда в базу. Наличие тонкого слоя 4 не препятствует снижению импеданса базы в результате заполнения ее квазинейтральной плазмой. В режиме "Выключено" при отсутствии стороннего обратного смещения база 3 и обеденная область 4, образуют импедансный делитель напряжения, свойства которого зависят от частоты, от параметров слоев и от величины напряжения смещения. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента