|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЭЛЕМЕНТ УСТРОЙСТВА ПАМЯТИ СО СТРУКТУРОЙ МЕТАЛЛ - ИЗОЛЯТОР - МЕТАЛЛ |  |
Номер публикации патента: 2072591 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/49 | | Аналоги изобретения: | 1. Дирнлей Дж. Стоунхзм А., Морган Д., УФН, 1974, т. 112, вып.1, с.83-127. 2. Pagnia H., Sotnik N., Phys. Stat. Sol. (a) 1988, v.108, N 11, p.11-65. |
| Имя заявителя: | Институт микроэлектроники РАН | | Изобретатели: | Мордвинцев В.М.
Левин В.Л. | | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники РАН |
Реферат | |
Использование: устройства памяти, реализуемые с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: элемент устройства памяти включает два металлических электрода, разделенных электроизолирующим зазором, и частицы углеродистой фазы в зазоре, размещенные в среде, содержащей органическое вещество. В структуре обеспечен доступ молекул органического вещества к зазору. Зазор выполнен в виде промежутка, не содержащего частиц металла, причем его ширина находится в интервале 2 - 100 нм. Металлические электроды могут разделяться слоем твердого диэлектрика, образуя слоистую структуру, тогда торец слоя диэлектрика открыт для доступа молекул органического вещества, а толщина слоя диэлектрика задает ширину зазора. 1 з. п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента