|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 2066501 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/47 | | Аналоги изобретения: | 1. Купер, Биксби, Карвер. Мощные диоды Шоттки - приборы для быстродействующих выпрямителей. Электроника.- 1976, № 3. 2. Патент США № 4223327, кл. H 01 L 29/48, 1980. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Кремний" | | Изобретатели: | Лебедев А.С.
Лебедев В.А.
Павельев А.Б.
Чернечков В.А. | | Патентообладатели: | Акционерное общество "Кремний" |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления приборов с барьером Шоттки. Сущность изобретения: способ заключается в том, что при травлении кремния над углублением не создается козырек слоя окисла. При этом наносится только один барьерный слой металла по всей поверхности углубления, а травление кремния проводят плазмохимическим способом. При травлении выбираются следующие соотношения скоростей травления окисла Vтр.SiO2 и кремния Vтр.Si:  , где К - коэффициент изотропности при травлении углубления в кремнии, α - угол наклона диэлектрика к кремнию, образованного при травлении окна. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента