|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2065643 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/73 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Японии N 60-20905, кл. H 01 L 29/72, 1985. 2. Патент США N 3858234, кл. Н 01 L 11/00, 1974. |
| Имя заявителя: | Государственное предприятие ОКБ "Искра" | | Изобретатели: | Гордеев А.И.
Насейкин В.О.
Королев А.Ф.
Левин А.А. | | Патентообладатели: | Государственное предприятие ОКБ "Искра" |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике и в частности в конструкциях мощных биполярных транзисторов с увеличенной областью безопасной работы. Сущность изобретения: в пространстве, заключенном между краем эмиттера и базовым контактом, создается сильнолегированная базовая область таким образом, что расстояние от края эмиттера до границы сильнолегированной базовой области уменьшается в направлении от общей эмиттерной шины к концу эмиттерного зубца. Структура транзистора содержит эмиттерную шину, эмиттерные зубцы, "плавающий эмиттер", располагающийся между базовым контактом и краем эмиттера и имеющий постоянную ширину вдоль эмиттерного зубца, высоколегированную базовую область, часть базовой области, имеющую обычный уровень легирования. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента