На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ ЗАТВОРОМ | |
Номер публикации патента: 2065642 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L029/10 | Аналоги изобретения: | 1. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. - Л.: Энергоиздат, 1986, с. 179. 2. Патент США N 4990978, кл. Н 01 L 29/10, 1991. |
Имя заявителя: | Бубукин Борис Михайлович | Изобретатели: | Бубукин Борис Михайлович | Патентообладатели: | Бубукин Борис Михайлович |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике. Сущность: биполярный транзистор с изолированным диэлектриком затвором, содержащий одну или более областей эмиттера, базы, коллектора, истока, стока, электрически соединенных по одноименным областям, и затвор, расположенный над канальной областью, которая соединяется в объеме с другими областями одинакового и противоположного типа проводимости. При этом канальная область и соединенная с ней в объеме другая область одинакового типа проводимости соединены по поверхности невыпрямляющим контактом, который примыкает к слою диэлектрика, изолирующего затвор от канальной области. Все это позволяет увеличить ток коллектора максимальный, уменьшить время переключения и напряжение насыщения коллектор-эмиттер за счет отсутствия паразитных тиристоров и транзисторов, снижения паразитных емкостей и сопротивлений, связанных с названным выше невыпрямляющим контактом. 2 ил.
|