|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С СИММЕТРИЧНОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ |  |
Номер публикации патента: 2064716 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/74 | | Аналоги изобретения: | 1. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерения. - М., Советское радио, 1968, с.78. 2. Технический справочник. Тиристоры. / Под ред. В.А.Лобунцова, 1971. 3. Thyristor Data book. New York 1992, р.717. 4. КУ 503А.Б.В. Технические условия АДБК. 423. 160.50 ЗТУ. |
| Имя заявителя: | Смолянский Владимир Авраамович | | Изобретатели: | Смолянский Владимир Авраамович | | Патентообладатели: | Смолянский Владимир Авраамович |
Реферат | |
Использование: в конструкциях полупроводниковых симметричных стабилитронов и диаков. Сущность изобретения: прибор выполнен на основе n-n+ эпитаксиальной структуры, в котором размещены две встречно параллельно соединенные ячейки, содержащие продольную р-n-р-n тиристорную структуру, коллекторный р-n переход который зашунтирован цепью последовательно соединенных диодов Зенера. Особенностью прибора является весьма широкая n-база р-n-р-n структуры, позволяющая избежать эффекта защелкивания, свойственного тиристору. При выборе суммарного напряжения пробоя цепи диодов Зенера менее граничного напряжения n-р-n составного транзистора тиристорной структуры прибор имеет вольтамперную характеристику симметричного диода Зенера. При выборе суммарного напряжения пробоя цепи диодов Зенера более граничного напряжения n-р-n составного транзистора тиристорной структуры прибор имеет вольтамперную характеристику симметричного диака. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента