|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПЛАНАРНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР |  |
Номер публикации патента: 2062532 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/74 | | Аналоги изобретения: | 1.Патент США N 4942446, кл. H OI L 29/74, 1990. 2. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е. Элементы сверхбольших интегральных схем.- М.: Радио и связь,1986, с. 100-104, 133-134. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт электронной техники | | Изобретатели: | Выгловский В.М.
Гаганов В.В. | | Патентообладатели: | Выгловский Владимир Михайлович
Гаганов Владимир Владимирови |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая электроника, конструкция полупроводникового переключающего прибора-тиристора. Сущность изобретения: планарный переключающий полупроводниковый прибор, содержащий низкоомную подложку с выращенным на ее поверхности эпитаксиальным высокоомным слоем, в котором созданы р-n-р- и многоколлекторный n-р-n-транзисторы, при этом область базы n-р-n- транзистора одновременно является областью коллектора р-n-р-транзистора, а область эмиттера n-p-n-транзистора - областью базы р-n-р-транзистора, коллекторные области n-р-n-транзистора объединены между собой общим электродом-катодом, его эмиттерные области изолированы от шины нулевого потенциала пассивирующим слоем диэлектрика, сформированного на тыльной стороне низкоомной подложки, область эмиттера р-n-р-транзистора сформирована по периферии структуры переключающего прибора и охватывает область эмиттера n-р-n-транзистора, а его электрод является анодом и электрод базы n-р-n- и коллектор р-n-р-транзисторов являются управляющими. 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента