На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СВЕРХРЕШЕТКА

Номер публикации патента: 2062529

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  5047415		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: в микроэлектронике, вычислительной технике, оптоэлектронике. Сущность изобретения: в устройстве между полупроводниковой подложкой и металлическим электродом расположен туннельно прозрачный слой диэлектрика, подложка выполнена легированной так, что область пространственного заряда на границе с диэлектриком в полупроводнике туннельно прозрачна. Толщина слоя диэлектрика 1 - 5 нм, а в качестве металла электрода использован InGa при выполнении подложки из кремнии p-типа проводимости. 1 з.п.ф-лы, 7 ил.

Вернуться к списку