|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2059326 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/06 H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | Скворцов И.М. и Лапидус И.И. и др. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия. М.: Энергия, 1978, с.46. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Кремний" | | Изобретатели: | Жилин Л.М.
Матовников В.А.
Бурьба В.В.
Натарин П.К.
Шеин Ю.Ф. | | Патентообладатели: | Акционерное общество "Кремний" |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: предлагаемый способ создания эпитаксиальных структур состоит в том, что для предотвращения появления прослоек в рабочем эпитаксиальном слое, перед наращиванием рабочего высокоомного слоя на подложку n+-типа наращивают первый дополнительный слой толщиной d1=0,5-5 мкм и удельным сопротивлением ρ1(1-50)ρo.c, затем второй дополнительный слой толщиной d2=(0,5-0,9)dΣ диф.ф. и удельным сопротивлением ρ2=(0,02-2)ρр.с, где ρо.с - удельное сопротивление опорного слоя (подложки); dΣ диф.ф. - расчетная или экспериментальная суммарная глубина диффузии фосфора в рабочий слой; ρр.с. удельное сопротивление рабочего слоя. Первый дополнительный слой формируют в опорном слое ионным легированием и/или диффузией. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента