|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2056674 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 3858234, кл. H 01L 11/00, 1974. 2. Патент Японии N 60-20905, кл. H 01L 29/72, 1985. |
| Имя заявителя: | Государственное предприятие ОКБ "Искра" | | Изобретатели: | Королев А.Ф.
Обмайкин Ю.Д.
Левин А.А.
Гордеев А.И.
Насейкин В.О. | | Патентообладатели: | Государственное предприятие ОКБ "Искра" |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике, в конструкции биполярных транзисторов. Сущность изобретения: мощный биполярный транзистор содержит коллекторную область, базовую область, эммитерную область гребенчатой конфигурации, окруженную по всему периметру полосковой областью постоянной ширины того же типа проводимости, что и эмиттерная область, причем расстояние между эмиттерной областью и полосковой областью уменьшается по мере удаления от начала к концу эмиттерного зубца, базовый электрод расположен на
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента