|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2055419 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/82 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент Великобритании N 2126009, кл. H 01L 29/82, 1981. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | | Изобретатели: | Галушков А.И.
Сауров А.Н.
Чаплыгин Ю.А. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) |
Реферат | |
Использование: предлагаемый элемент может найти применение для измерения магнитных полей в виде датчика в магнитоуправляемых схемах электронной автоматики или в качестве чувствительного элемента в интегральных магнитоуправляемых схемах. Сущность изобретения: магниточувствительный биполярный транзистор представляет собой элемент, выполненный на полупроводниковой пластине и содержащий две области базовых контактов, между которыми расположены две области измерительных коллекторов и между которыми на
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента