Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР (ВАРИАНТЫ)

Номер публикации патента: 2054756

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 92014485/25 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/73    
Аналоги изобретения: 1. Johnson Joseph Y. Wisherd David. Solid State Power for L-Band Radas. Microwave Journal, 1980, v.23, N 8, pp.51-54. 2. Транзистор КТ 977А. а АО. 339.317 ТУ. 

Имя заявителя: Товарищество с ограниченной ответственностью НПО "Вариация" 
Изобретатели: Аронов В.Л.
Евстигнеев А.С.
Евстигнеева Г.В.
Русаков Е.О.
Диковский В.И. 
Патентообладатели: Товарищество с ограниченной ответственностью НПО "Вариация" 

Реферат


Использование: в полупроводниковой технике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий выводы транзистора, соответствующие второму и третьему электродам транзисторных структур и расположенные по обе сторон


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"