|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР |  |
Номер публикации патента: 2045111 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/73 | | Аналоги изобретения: | A.Silard and of h.Performance of High-Voltage TILGATTs, Rev.Roum.Sci.Techn. 33,3,297-301, 1988. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | | Изобретатели: | Грехов И.В.
Костина Л.С.
Белякова Е.И. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе высокопроводящие участки сформированы внутри базового слоя регулярно на глубине не менее ширины области объемного заряда эмиттерного перехода и толщиной не более разности между расстоянием от поверхности участков, обращенной к эмиттерному переходу, до коллекторного перехода и шириной его области объемного за
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента