|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ДИОДНОГО ТИРИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2038649 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/74 | | Аналоги изобретения: | 1. Data Thyristors, 1988, 25. |
| Имя заявителя: | Государственное предприятие Особое конструкторское бюро "Элтом" | | Изобретатели: | Файншмидт Л.И.
Молев А.Н. | | Патентообладатели: | Государственное предприятие Особое конструкторское бюро "Элтом" |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: интегральная схема диодного тиристора содержит силовой p-n-p-транзистор, силовой n-p-n-транзистор, полевой транзистор, резистор и две входные клеммы, причем база силового p-n-p-транзистора соединена с коллектором силового p-n-p-транзистора, эмиттерный переход силового p-n-p- транзистора зашунтирован полевым транзистором, каждый эмиттер соединен с входной клеммой.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента