|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2031483 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/26 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Японии N 60-154677, кл. H 01L 29/80, 1985. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов | | Изобретатели: | Айзенштат Г.И.
Содатенко К.В.
Шамова Г.И. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике при производстве полевых транзисторов на арсениде галлия с увеличенным быстродействием за счет уменьшения длины затвора. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора включает выделение активной области прибора на полупроводниковой структуре, формирование омических контактов, нанесение диэлектрического слоя на поверхность структуры, формирование металлической маски с окном под электрод затвора и последущее анодное окисление металлической маски для уменьшения размера окна, травление диэлектрического слоя и формирование затвора. 9 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента