|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2012101 |  |
| Имя заявителя: | Кондрашов Владимир Владимирович,Мурзин Сергей Анатольевич | | Изобретатели: | Кондрашов Владимир Владимирович
Мурзин Сергей Анатольевич | | Патентообладатели: | Кондрашов Владимир Владимирович
Мурзин Сергей Анатольевич |
Реферат | |
Использование: область полупроводникового производства. Сущность изобретения: мощный биполярный транзистор гребенчатой структуры имеет коллекторную область первого типа проводимости, базовую область второго типа проводимости и эмиттерную область первого типа проводимости с шириной эмиттерных гребенок a.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента