|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| Полупроводниковый ограничительный диод |  |
Номер публикации патента: 2003208 |  |
| Имя заявителя: | Московский энергетический институт | | Изобретатели: | Лебедев Игорь Всеволодович
Шнитников Александр Сергеевич | | Патентообладатели: | Московский энергетический институт |
Реферат | |
Изобретение относится к твердотельным приборам СВЧ и КВЧ диапазонов, предназначенным для защиты входных цепей чувствительных радиоэлектронных приемных устройств. Сущность изобретения: диод имеет структуру, содержащую слабопегированную базу, сильнолегированные области р+ип+ проводимости, а также два слоя с типом проводимости базы, расположенных между базой и сильнолегированным слоем противоположного типа проводимости.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента