На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

Транзистор Шоттки с двухсторонним управлением канала

Номер публикации патента: 2000631

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  05005681		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: на пластине арсенида галлия, включающей полуизолирующую подложку с буферным и активным слоями, сформированы канал в виде ряда дискретных областей, разделенных вертикальными углублениями, затвор, барьерный слой которого выполнен из Re-W s виде ряда дискретных участков, расположенных на поверхности углублений и соединенных между собой мостиками золота , при этом вертикальные углубления выполнены прямоугольного

Вернуться к списку