|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 1827152 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | 1. Международная заявка РСТ Е82/00265, кл. H 01L 23/56, H 02H 9/04, 1982. 2.Патент США N 4291319, кл. H 01L 29/90, 1981. |
| Имя заявителя: | Кондрашов В.В. | | Изобретатели: | Кондрашов В.В.
Мурзин С.А. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью "КМК" |
Реферат | |
Использование: область полупроводникового производства. Сущность: мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения состоит из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с "плавающей" базой, интегрированного с указанной рабочей транзисторной структурой в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем ширина и/или степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и/или степени легирования активной базы транзисторной структуры, так что пробивное напряжение между коллектором и эмиттером указанного стабилитрона ниже пробивного напряжения между коллектором и эмиттером рабочей транзисторной структуры при ее разомкнутой базе. Новым в транзисторе является ограничение степени легирования эмиттерной области стабилитрона таким образом, что степень легирования указанной эмиттерной области защитного стабилитрона Nsэст ниже степени легирования эмиттерной области рабочей транзисторной структуры Nsэтр, причем Nsэст<<2<195> 1020 ат/см3. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента