|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 1827149 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Франции N 2528233, кл. H 01L 29/70, 1982. 2. Заявка Франции N 2570879, кл. H 01L 29/72, 1984. |
| Имя заявителя: | Кондрашов В.В. | | Изобретатели: | Кондрашов В.В.
Мурзин С.А. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью "КМК" |
Реферат | |
Использование: область полупроводникового производства, а именно конструкции мощного биполярного транзистора с повышенной устойчивостью к вторичному пробою, предназначенного, например, для работы в высоковольтных ключевых устройствах. Сущность: мощный биполярный транзистор с повышенной устойчивостью к вторичному пробою имеет эмиттер одной глубины и степени легирования и сложнолегированную активную базу, концентрация примеси в которой под центральной зоной эмиттерной гребенки выше концентрации примеси под ее боковыми зонами. Новым в конструкции является то, что ширина указанной активной базы является переменной величиной, непрерывно увеличивающейся от периферии к центру эмиттерной гребенки, а изменение концентрации примеси в активной базе происходит не "скачкообразно", а непрерывно с некоторым переменным градиентом, уменьшающимся к центру эмиттерной гребенки. 3 з.п. ф-лы. 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента