На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ

Номер публикации патента: 1827146

Вид документа:  A3  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4927437		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: область полупроводникового производства. Сущность: мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с "плавающей" базой, интегрированного с указанной рабочей транзисторной структурой в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем пробивное напряжение между коллектором и эмиттером защитного стабилитрона ниже пробивного напряжения между коллектором и эмиттером рабочей транзисторной структуры при ее разомкнутой базе. Новым в конструкции указанного транзистора является то, что ширина активной базы защитного стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень легирования Ns эст эмиттерной области защитного стабилитрона отлична от степени легирования эмиттерной области рабочей транзисторной структуры и выбирается в зависимости от величины указанной степени легирования Ns этр таким образом, что статический коэффициент передачи тока эмиттера (в схеме с общим эмиттером) стабилитрона больше соответствующего коэффициента усиления рабочей транзисторной структуры, а дефектность активной базы защитного стабилитрона и (или) прилегающей к ней области коллектора меньше дефектности соответствующих областей рабочей транзисторной структуры. 3 з.п. ф-лы. 4 ил.

Вернуться к списку