|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЕРТИКАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 1827144 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Блихер А. Физика сильных биполярных транзисторов. Л.: Энергоатомиздат, 1986, с.247. 2. Патент Швеции N 366871, кл. H 01L 1/10, 1974. |
| Имя заявителя: | Кондрашов В.В. | | Изобретатели: | Кондрашов В.В.
Мурзин С.А. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью "КМК" |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к полупроводниковому производству, а именно к конструкции вертикальных биполярных транзисторов с низким уровнем обратного тока и повышенной стабильностью параметров Iкэо и Iкэ Сущность: вертикальный биполярный транзистор содержит канальный ограничитель и пассивирующее покрытие, препятствующее попаданию подвижных зарядов в приповерхностную часть области пространственного заряда коллекторного перехода. В базовой области транзистора между эмиттерной областью и поверхностной границей коллекторного перехода имеется по крайней мере одна дополнительная область, охватывающая кольцом указанную эмиттерную область и препятствующая попаданию неосновных носителей в приповерхностную часть области пространственного заряда коллекторного перехода. Причем глубина указанной дополнительной области больше или равна глубине эмиттерной области указанного биполярного транзистора. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента