На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

Номер публикации патента: 1819072

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4902229		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: конструкции интегральных схем, содержащие биполярные транзисторы. Сущность изобретения: интегральная схема включает основной и защитный биполярные транзисторы одного типа проводимости, выполненные на полупроводниковой подложке. В эпитаксиальном слое сформированы области баз и эмиттеров основного и защитного транзисторов. Область коллектора является общей для транзисторов. В области базы защитного транзистора сформирована область второго эмиттера. Под первым и вторым эмиттерами сформированы высоколегированные области того же типа проводимости, что и область базы, перекрывающие донные части эмиттера. Области база-эмиттер основного транзистора соединены соответственно с областями первого и второго эмиттеров защитного транзистора. Электрические параметры транзисторов удовлетворяют определенным соотношениям. Схема обеспечивает возможность защиты от перенапряжений соответствующих элементов основного транзистора при прямом или инверсном его включении. 1 ил.

Вернуться к списку