|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С УПРАВЛЯЮЩИМ P - N - ПЕРЕХОДОМ |  |
Номер публикации патента: 1812898 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/808 | | Аналоги изобретения: | Заявка Японии N 60-138975, кл. H 01L 29/80, 1985. |
| Имя заявителя: | Минский научно-исследовательский приборостроительный институт | | Изобретатели: | Мац И.Л. |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: на полупроводниковой подложке первого типа проводимости сформирован полупроводниковый слой второго типа проводимости. С помощью области первого типа проводимости, смыкающейся с подложкой, сформирована изолированная область, в которой расположены области истока, затвора, стока полевого транзистора. Исток выполнен в виде двух областей, одна из которых окружена областью затвора, выполненной дискретной, образуя (n-1) горизонтальных каналов толщиной Lp(n-1), при этом Lp1p2<...p(n-1) и Lp1>2W0.3, где W0.3 - ширина области пространственного заряда p-n-перехода, образованного областями первого типа проводимости затвора и изолирующей, с полупроводниковым слоем второго типа проводимости. Вторая область истока расположена в замкнутом контуре, образованном областью второго затвора, соединенной с изолирующей областью. Конструкция позволяет реализовать n изломов - (n+1) участков с различной крутизной. 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента