|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 1766220 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L029/73 | | Аналоги изобретения: | Диковский В.И. и др. Мощный высокочастотный n-p-n-транзистор. - Электронная техника, сер.2, вып.5 (69) ЦНИИ "Электроника", 1972, с.19-20. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола | | Изобретатели: | Петров Б.К.
Булгаков О.М.
Безрядина Г.В.
Кочетков А.И.
Колесникова |
Реферат | |
Использование: конструкции мощных ВЧ- и СВЧ- полупроводниковых приборов, обеспечивающих равномерность распределенного тепла. Сущность изобретения: контакты эмиттерных полосок с металлизацией сформированы на противоположных краях полосок, а поверхностное сопротивление RS эмиттерных полосок удовлетворяет определенному условию. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента