|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 1424656 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/73 | | Аналоги изобретения: | Кремниевые планарные транзисторы. /Под ред. Я.А.Федотова. М.: Сов. Радио, 1973, с.175. Патент США N 3504239, кл.317 - 235, 1970. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Захаров В.И.
Левкович Г.С.
Левицкий К.Б.
Синкевич В.Ф.
Шибанов А.П.
Шелчков Б.И.
Щигол |
Реферат | |
Изобретение относится к области полупроводников электроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, в мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторах и др. Цель - улучшение энергетических параметров путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными транзисторными структурами. Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, базы и коллектора, содержит ряд параллельно включенных транзисторных структур с электродами эмиттера, базы и коллектора и балластными резисторами в электрической цепи. В корпусе транзистора на его эмиттерном выводе напротив каждой транзисторной структуры установлены полупроводниковые кристаллы, на каждом из которых сформированы RC-цепочки, которые представляют собой параллельно соединенные балластный резистор и конденсатор. Один конец каждой RC-цепочки соединен с проводником с эмиттерным электродом, а другой электрически соединен с эмиттерным выводом транзистора. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента