Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер публикации патента: 1414238

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4073386 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/06    
Аналоги изобретения: Евсеев А.А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств. М.: Энергия, 1978, с. 192. Авторское свидетельство СССР N 1207345, кл. H 01 L 29/06, 1985. 

Имя заявителя: Монахов А.Ф. 
Изобретатели: Монахов А.Ф. 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к конструированию полупроводниковых приборов. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей и повышение степени интеграции. Изобретение позволяет сократить число схемных элементов в полупроводниковых преобразователях путем объединения функций дискретных полупроводниковых приборов в одном приборе, содержащем полупроводниковую структуру (ПС) в виде полого цилиндра с коаксиально расположенными p-n-переходами. На поверхности ПС выполнены продольные канавки, пересекающие p-n-переходы и делящие ПС на отдельные секции. Каждая секция выполняет функции дискретного прибора, а прибор в целом - функции группы дискретных приборов, имеющих общую точку в электрической цепи. Для гальванической развязки входной и выходной частей прибора на ПС выполнена кольцевая канавка, пересекающая p-n-переходы. ЭДС в выходной части ПС наводится через общую для обеих частей полупроводниковую область в результате изменения положения границ области пространственного заряда во входной части. Для обеспечения заданных рабочих напряжений углы со стороны базовой области между поверхностью стенок канавок и поверхностью высоковольтных p-n-переходов выполнены острыми. Для продольных канавок это условие обеспечивается при параллельных стенках. 5 з.п. ф-лы, 11 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"