|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДИОД ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 1037809 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/47 | | Аналоги изобретения: | Стриха В.И. и др. Достижение, перспектива исследования и применения приборов с барьером Шоттки. - Киев: Знание 1978, стр. 13. Herry P.R. Diodes Shottky. Technologye et relations ehtre parametres phisiques et electriques " Revue technique THOMSON - CSF" 1970, 2, N 3, p. 475 - 495. |
| Имя заявителя: | Запорожский индустриальный институт | | Изобретатели: | Баранцева О.Д.
Костенко В.Л |
Реферат | |
Диод Шоттки, содержащий эпитаксиальный слой полупроводника, расположенный на полуизолирующей подложке, сформированные к эпитаксиальному слою контакт с барьером Шоттки и омический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и снижения величины, рассеиваемой мощности, он дополнительно содержит управляющий электрод и диэлектрическую пленку, при этом в подложке под контактом Шоттки до эпитаксиального слоя выполнено углубление, в котором расположен управляющий электрод, изолированный от эпитаксиального слоя и подложки диэлектрической пленкой.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента