|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С КОНДЕНСАТОРАМИ, ОБРАЗОВАННЫМИ НАД И ПОД ТРАНЗИСТОРОМ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 95107653 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 95107653 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Самсунг электроникс Ко.Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Джоо Янг Ли[KR] | | Номер конвенционной заявки: | 94-10487 | | Страна приоритета: | KR | | Патентный поверенный: | Матвеева Н.А. |
Реферат | |
Сущность изобретения: полупроводниковое запоминающее устройство с конденсаторами, образованными над и под транзистором ячейки памяти, содержит первый и второй транзисторы, образованные на первом уровне, первым электрод хранения, соединенный с первым транзистором и выполненный под первых уровнем, и второй электрод хранения, соединенный со вторым транзистором и выполненный над первым уровнем. Первый и второй электроды хранения соединены с каждым истоком через прокладку, образованную на боковых стенках каждого истока, и между электродами хранения и транзистором выполнены подтравливания, что позволяет увеличить емкость вдвое или больше, достичь стабильной характеристики транзистора ячейки памяти и уменьшить эффекты укорачивания канатов.
|
Поиск патентов