На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

ВЫСОКОПРОВОДЯЩАЯ ОБЛАСТЬ В МИКРОСХЕМЕ. ТЕРМОНАГРЕВ ШАБЛОНА

Номер публикации патента: 94028131

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94028131

Реферат

Изобретение применяется для понижения сопротивления и повышения быстродействия в микросхемах без увеличения степени интеграции. Для каждого отдельного элемента микросхемы существует только одна высокопроводящая область, которая всей своей параллелепипедной формой вписана или входит внутрь этого элемента. При этом высокопроводящая область всей своей формой внутри своего элемента микросхемы не выходит на поверхность полупроводниковой пластины микросхемы и не выходит за границы сопропряжения электронных и дырочных перех областей или всей формы элемента с чистой полупроводниковой частью пластины микросхемы. Так же высокопроводящая область всей своей формой проходит через все электронные дырочные переходы своего элемента, и сам переход каждый проходит как через области элемента, так через и высокопроводящую область, сохраняя свою рабочую функцию внутри высокопроводящей области. Состоит высокопроводящая область из частичек высокопроводящего химического элемента с почти идеальной переферийной решетчатой структурой и из частичек лигированного полупроводника. Полупроводниковые лигированные частички вводятся в высокопроводящую область для поддержания нормальных функций переходов элемента каждого. И для свободного переферийного прохода тока частички разудалены и вносятся отдельными. Для формирования высокопроводящей области применяется термонагрев шаблона или шаблон с меньшими по возможности окошками для высокопроводящих областей. Также предложен метод постепенного равномерного порционального нагрева шаблона для исключения форменного, структурного, линейного скалывания и разрушения.

Вернуться к списку