Панфилов Б.А. Физико-технические и функциональные характеристики унифицированной структуры ячейки памяти, работа которой основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии. РНТОРЭС им.А.С.Попова, LVII Научная сессия, посвященная дню радио, труды т.2. - М., 2002, с.255-258. RU 1311536 А1, 23.03.1992. RU 1389135 А1, 23.03.1992. RU 99103207 А, 10.04.2001. RU 2358082 С2, 10.06.2009.
Имя заявителя:
Панфилов Борис Аркадьевич (RU)
Изобретатели:
Панфилов Борис Аркадьевич (RU)
Патентообладатели:
Панфилов Борис Аркадьевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП). Сущность изобретения: способ регулирования сопротивления твердотельных приборов на основе ПЭМП позволяет регулировать сопротивление металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, электрическим сигналом во всем интервале физически возможных значений сопротивления как в сторону уменьшения сопротивления, так и в сторону увеличения сопротивления с сохранением выставленного состояния энергонезависимо с повышенной стойкостью к внешним воздействиям. Техническим результатом изобретения является возможность регулирования сопротивления металлической перемычки прибора до заданной величины во всем интервале физически возможных значений. Техническим результатом резистивной матрицы памяти на основе полярнозависимого электромассопереноса в кремнии является возможность в каждой ячейке резистивной матрицы памяти осуществлять многократную запись, стирание и энергонезависимое хранение информации в смешанной системе счисления. 2 н. и 1 з.п. ф-лы.