SU 1647886 A1, 07.05.1991. SU 1208601 A, 30.01.1986. SU 762138 A, 07.09.1980. RU 94000703 A1, 10.05.1997. US 4143286 A, 06.03.1979. US 7663183 B2, 16.02.2010.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" (RU)
Изобретатели:
Юркин Василий Иванович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе с характеристикой лямбда-диода объединены два комплементарных полевых транзистора в единую вертикальную структуру с параллельно расположенными каналами, между которыми образуется электрический переход, при этом ток в каналах проходит во встречных направлениях. Затворы образованы дополнительными областями на другой боковой стороне каналов. Истоки каналов соединены между собой с помощью омических контактов на нижней стороне структуры. Сток n-канала соединен с затвором р-канала, а сток р-канала - с затвором n-канала с помощью двух общих металлических шин. Прибор может содержать несколько единичных структур, при этом затворы являются общими для соседних структур, а каналы с одинаковым типом проводимости размещены симметрично по отношению к затворам. Изобретение позволяет уменьшить размеры, повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность прибора. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента