JP 2007157912 А, 21.06.2007. RU 2006121485 А, 27.12.2007. WO 2006117725 A1, 09.11.2006. JP 2005167588 A, 23.06.2005. JP 2005347325 A, 15.12.2005.
Имя заявителя:
КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
Изобретатели:
КОБАЯСИ Масахиро (JP) ЯМАСИТА Юитиро (JP)
Патентообладатели:
КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
Приоритетные данные:
09.05.2008 JP 2008-123440
Реферат
Изобретение относится к конфигурации изоляции элементов в устройстве фотоэлектрического преобразования, включающем участки накопления заряда. В устройстве фотоэлектрического преобразования, включающем участки накопления заряда в области формирования изображений, области изоляции для участков накопления заряда включают в себя первые участки изоляции, имеющие PN-переход, и вторые участки изоляции, имеющие изолятор. Второй участок изоляции размещается между участком накопления заряда и, по меньшей мере, частью множества транзисторов. Техническим результатом изобретения является уменьшение проникновения зарядов из области изоляции в участки накопления заряда. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 11 ил.