US 7071407 В2, 04.07.2006. RU 2382439 C1, 20.02.2010. SU 1114272 A1, 27.04.2008. US 7339109 В2, 04.03.2008. US 2004/0187912 A1, 30.09.2004.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Калюжный Николай Александрович (RU) Лантратов Владимир Михайлович (RU) Минтаиров Сергей Александрович (RU) Гудовских Александр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к устройствам преобразования световой энергии в электрическую и может быть использовано как в концентраторных фотоэлектрических модульных установках, так и в космических солнечных батареях. Сущность изобретения: многопереходный фотопреобразователь содержит полупроводниковую подложку и включает, по меньшей мере, два полупроводниковых p-n-перехода, состоящих, по меньшей мере, из расположенного ближе в фоточувствительной поверхности эмиттерного слоя одного типа проводимости и базового слоя другого типа проводимости, при этом по меньшей мере один p-n-переход, расположенный под верхним первым p-n-переходом, имеет эмиттерный слой с шириной запрещенной зоны, превосходящей ширину запрещенной зоны базового слоя расположенного выше соседнего p-n-перехода. Техническим результатом изобретения является создание многопереходного фотопреобразователя, имеющего повышенный КПД за счет уменьшения рекомбинационных потерь в эмиттерных слоях и на границах раздела гетеропереходов. 8 з.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента