Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО

Номер публикации патента: 2439747

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010141959/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/146    
Аналоги изобретения: US 5965875 A, 12.10.1999. RU 2381594 C1, 10.02.2010. RU 2362235 C1, 20.07.2009. SU 955290 A, 05.09.1982. US 2008012029 A1, 17.01.2008. 

Имя заявителя: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (RU) 
Изобретатели: Уздовский Валерий Владимирович (RU)
Хайновский Владимир Иванович (RU)
Денисова Елена Александровна (RU)
Игнатьева Надежда Владимировна (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области электроники и измерительной техники и предназначено для регистрации излучения в различных спектральных диапазонах видимого спектра излучения в фотоэлектрических спектральноселективных преобразователях изображения. Фотоприемное устройство содержит пять вертикально-интегрированных слоев с противоположным типом проводимости, каждый из которых соединен с тремя МОП транзисторами, расположенными так, что в фотоприемном устройстве приповерхностный фоточувствительный слой n+-типа проводимости от поверхности подложки расположен до 0,2 мкм и находится в непосредственном контакте со средним слоем p-типа проводимости, расположенном в глубине подложки от 0,2 мкм до 0,7 мкм, который находится в непосредственном контакте со средним слоем n-типа проводимости, расположенным от 0,7 мкм до 1,2 мкм, причем он находится в непосредственном контакте с глубоким слоем p-типа проводимости, расположенным от 1,2 мкм до 1,7 мкм, причем он находится в непосредственном контакте с глубоким слоем n-типа проводимости, расположенным от 1,7 мкм до 2,5 мкм, который находится в непосредственном контакте с полупроводниковой подложкой p-типа проводимости. Изобретение обеспечивает увеличение селективности разложения белого цвета на спектральные диапазоны длин волн для регистрации синего, зеленого и красного спектральных диапазонов видимого излучения и расширения функциональных возможностей за счет селективной регистрации пяти спектральных диапазонов видимого излучения. 6 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"