Открытое акционерное общество "Воронежский завод полупроводниковых приборов-сборка" (RU), Бубукин Борис Михайлович (RU), Кастрюлёв Александр Николаевич (RU), Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Изобретатели:
Бубукин Борис Михайлович (RU) Кастрюлёв Александр Николаевич (RU) Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Воронежский завод полупроводниковых приборов-сборка" (RU) Бубукин Борис Михайлович (RU) Кастрюлёв Александр Николаевич (RU) Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым ДМОП-транзиторам. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе, содержащем сток, исток, состоящий из транзисторных ячеек и периферийного p-n перехода, расположенных под электродом-затвором, а также из металлического электрода истока, расположенного над электродом-затвором, поликремневый электрод-затвор, изолированный от истоковых областей диэлектриком, содержащий в средней части матрицу транзисторных ячеек и периферийную краевую часть, перекрывающую над диэлектриком истоковый периферийный p-n переход, краевая часть поликремневого электрода-затвора, перекрывающая над диэлектриком истоковый периферийный p-n переход, топологически отделена от крайней ячейки матрицы транзисторных ячеек и не перекрывается истоковой металлизацией. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления силовых ДМОП-транзисторов в открытом состоянии, без увеличения размеров кристалла и ухудшения других параметров. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента