RU 2302058 С2, 27.06.2007. RU 2263373 С1, 27.10.2005. RU 2072591 С1, 27.01.1997. Валиев К.А. и др. Память на основе нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой. Микроэлектроника, 1997, т.26, 1, с.3-11. ЕР 0948816 В1, 21.04.2004.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (ФТИАН) (RU)
Изобретатели:
Мордвинцев Виктор Матвеевич (RU) Кудрявцев Сергей Евгеньевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (ФТИАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти включает проводящую шину первого уровня, соединенную с ней полупроводниковую структуру (например, диод или транзистор), обеспечивающую электрическую развязку ячеек в матрице и содержащую область с высокой концентрацией носителей тока из полупроводника n+- или р+-типа, перекрещивающуюся с шиной первого уровня проводящую шину второго уровня, расположенный непосредственно под шиной второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью. Под изолирующей щелью между слоем диэлектрика и областью с высокой концентрацией носителей тока полупроводниковой структуры расположен дополнительный проводящий элемент из нитрида титана, электрически изолированный от всех других элементов ячейки памяти. Техническим результатом изобретения является уменьшение напряжения питания, увеличение радиационной стойкости и улучшение технологичности изготовления ячейки памяти методами традиционной кремниевой технологии. 3 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.