RU 2284612 C2, 27.09.2006. RU 2239916 C1, 10.11.2004. RU 2127007 C1, 27.02.1999. WO 0209193 A1, 31.01.2002. ЕР 0097850 А1, 11.01.1984.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) (RU)
Изобретатели:
Тихонов Роберт Дмитриевич (RU) Козлов Антон Викторович (RU) Поломошнов Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Планарный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке, отличается геометрией областей эмиттера и коллекторов. Расстояние между областями эмиттера и коллекторов выбирается переменной величины, ширина коллекторов увеличивается при увеличении расстояния от эмиттера до коллектора, коллекторы расположены попарно с каждой стороны эмиттера и имеют разные углы наклона между сторонами эмиттера и коллекторов, левые и правые относительно эмиттера коллекторы соединены металлизацией и имеют два общих вывода коллекторов. Планарный магнитотранзисторный преобразователь в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла, и исключает чувствительность к магнитному полю, действующему параллельно поверхности кристалла. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента