RU 2331139 C1, 10.08.2008. RU 2373607 C1, 20.11.2009. RU 2355066 C2, 10.05.2009. RU 2349002 C1, 10.08.2008. RU 84625 U1, 10.07.2009. SU 434872 A, 24.11.1976. WO 2006118900 A2, 09.11.2006. WO 2007022955 A1, 01.03.2007.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Новые Энергетические Технологии" (RU)
Изобретатели:
Стребков Дмитрий Семенович (RU) Чепа Алексей Васильевич (RU) Кузнецов Александр Николаевич (RU) Заддэ Виталий Викторович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Новые Энергетические Технологии" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов. Изобретение позволяет повысить эффективность преобразования интенсивных потоков излучения. Сущность изобретения: полупроводниковый фотопреобразователь содержит базовую область, выполненную из полупроводникового материала р- или n-типа проводимости, диодные структуры с n+-p (p+-n) переходами на рабочей поверхности, и изотипные p-p+ (n-n+) переходы на противоположной поверхности, плоскости переходов параллельны рабочей поверхности, p+-n (n+-p) переходы выполнены в виде отдельных участков, скоммутированных с помощью контактов к легированному слою, расстояние между участками с p+-n (n+-p) переходами не превышает удвоенной диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, при этом фотопреобразователь на рабочей поверхности в базовой области содержит изолированные области с дополнительными изотипными p-p+ (n-n+) переходами, которые выполнены между каждыми двумя соседними участками с p+-n (n+-p) переходами, плоскости дополнительных изолированных изотипных переходов параллельны рабочей поверхности, над дополнительными изотипными переходами расположены контактные полосы, которые изолированы от дополнительных изотипных переходов пассивирующей окисной пленкой и соединены изолированной от базовой области контактной полосой с контактом к легированному слою диодных структур, а участки базовой области, свободные от контактов, содержат пассивирующую просветляющую пленку. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента